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DMP2066LSN
1
0.08
0.06
V GS = 4.5V
T A = 150°C
T A = 125°C
0.1
V GS = 2.5V
V GS = 4.5V
V GS = 10V
0.04
0.02
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.01
0
6 12 18 24
30
0
0
6
12 18 24
30
1.6
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
2.4
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.4
V GS = 10V
2.0
I D = 10A
1.6
1.2
V GS = 4.5V
1.0
I D = 5A
1.2
0.8
I D = 1mA
I D = 250μA
0.8
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 Normalized On-Resistance vs. Ambient Temperature
20
0.4
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
T A = 25°C
f = 1MHz
16
12
1,000
8
4
0
100
C oss
C rss
C iss
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2
0
5 10 15
20
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Diode Forward Voltage vs. Current
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 8 Typical Total Capacitance
DMP2066LSN
Document number: DS31467 Rev. 4 - 2
3 of 5
www.diodes.com
August 2011
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